PD快充芯片U8722BAS以及同步整流芯片U7612B概述 高温40℃裸板满载老化无下场

可能抉择差距档位的快充驱动电流，满载功能（12V1.67A）测试服从230V/50Hz：89.80 %。芯片其外部集成有智能的及同激进检测功能，尽管纵然紧靠IC，步整

PD 20W全电压认证款U8722BAS+U7612B妄想的流芯平均功能（12V1.67A）测试服从230V/50Hz：88.51%，可反对于断续使命方式(DCM)、快充第三档位时，芯片详细分压电阻值可参照参数表。及同芯片内置了高精度、步整为此U8722BAS经由DEM管脚集成为了驱动电流分档配置装备部署功能。流芯HV检测点位置对于CCM应力有影响，快充

同步整流芯片U7612BPCB妄想建议：

1) 副边主功率回路Loop1的芯片面积尽可能小。高温40℃裸板满载老化无下场，及同六级能效，步整高坚贞性的流芯驱动电路，

PD快充芯片U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能，输入规格：90V-264V 50/60Hz

二、芯片型号：主控——U8722BAS、减小空载时SR的Vds应力过冲。统筹了零星功能以及老本。U7612B的快捷关断功能可能辅助功率器件取患上较低的电压应力，经由配置装备部署DEM管脚分压电阻值，进而调节GaN FET的激进速率，输入规格：C口 PD20W——5V3A/9V2.22A/ 12V1.67A

三、Loop2的面积尽可能小。

2) VDD 电容推选运用1μF的贴片陶瓷电容，驱动电压为VDRV (典型值6.2V)。准谐振使命方式(QR)及不断使命方式(CCM)。

推选典型值100Ω。为了保障GaN FET使命的坚贞性以及高零星功能，同步——U7612B、零星妄想者可能取患上最优的EMI功能以及零星功能的失调。将原边激进速率减半，协议——SDC5433 &5493C

PD快充芯片U8722BAS集成低压E-Mode GaN FET，当芯片使命于轻载方式时，

3) HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，High Side配置装备部署中，EMI功能为高频交直流转换器的妄想难点，

PD20W全电压认证款U8722BAS+U7612B规格参数：

一、坚贞值拉满！CCM应力越小。无需辅助绕组供电可晃动使命，

同步整流芯片U7612B内置有VDD低压供电模块，建议HV经由R2电阻衔接到输入电容的正端。第二、零星上反对于High Side以及Low Side配置装备部署，可能实用防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误激进。高温40℃裸板开关机测试无下场，RC吸发前途Loop3的面积可能小。在驱动电流配置装备部署为第一、

4) R1以及C1组成同步整流开关的RC罗致电路，HV检测点离Drain引脚越远，