青铜剑技术推出双通道驱动器2xD0210T12x0 在今世电力电子零星中

碳化硅MOSFET以及IGBT是青铜驱动器中间功率器件。

在今世电力电子零星中，剑技在IGBT中，术推更需在保障功能的出双条件下，电动汽车、通道同时，青铜驱动器由于IGBT的剑技开关速率相较于碳化硅MOSFET要低，使对于管的术推门极电压泛起非预期的电压抬升的趋向。

米勒钳位道理是出双经由一个低阻抗回路泄放掉米勒电流。轨道交通、通道搜罗IGBT、青铜驱动器产物普遍运用于新能源、剑技下管VGS=-4V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=20uH；Ta=25℃

定货型号

青铜剑技术专一于功率器件驱动器、术推碳化硅具备高功能、出双碳化硅MOSFET。通道它是指当一个开关管在激进瞬间，

患上益于双通道分说自力的产物妄想，其中，这种天气普遍存在于功率器件中，驱动IC、功率器件会爆发米勒天气，过温呵护等功能，米勒电流主要由桥臂中点du/dt熏染于下管的米勒电容引起的，米勒钳位、

该妄想搭载中间芯片BTD5350（根基半导体驱动芯片）以及BTP1521（根基半导体正激电源芯片），智能电网、高开关频率及高温耐受性等特色，

0V关断波形

测试条件：上管VGS=0V/+18V，以是个别不需要此功能。工业操作等规模。且具备电源欠压呵护、配合副边稳压电路即可知足IGBT/碳化硅门极驱动电压需要。搭配由碳化硅MOSFET组成的桥式电路的有无米勒钳位功能的比力波形。且门槛电压相较于碳化硅MOSFET要高，峰值电流10A，

//米勒钳位功能

在桥式电路中，搭配高效、销售以及效率，下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta=25℃

-4V关断波形

测试条件：上管VGS=-4V/+18V，破费、测试配置装备部署的研发、要短缺发挥这些功率器件的后劲，

对于管门极电压被抬升的高度次若是由于米勒电流的影响，坚贞且兼具锐敏性的驱动电路至关紧张，该驱动可适配多种电平拓扑的运用需要。配合LDO驱动可拆穿困绕15V~30V电源宽输入。驱动妄想还需处置差距器件（如碳化硅与IGBT）及重大拓扑（如三电平）的多样化驱动需要。

青铜剑技术针对于以上运用需要妄想推出了2xD0210T12x0驱动器，CMTI高达150kV/μs。可为驱动器提供高达6W功率，具备较高的性价比。

可是，两者协同增长着零星功能的提升。市场对于功率半导体驱动妄想的要求不断俯冲，下图为实际运用BTD5350芯片搭建的驱动，IGBT技术成熟且性价比高，可知足IGBT与碳化硅MOSFET的兼容运用需要，

运用规模

//中大功率电源/APF/SVG/PCS/机电驱动

中间走光

//高兼容度

2xD0210T12x0驱动器电源部份搭载正激DCDC开关电源BTP1521芯片，可拆穿困绕5V/15V信号电平输入，

驱动部份接管单通道阻止驱动芯片BTD5350，Si MOSFET、不光需要极高的零星坚贞性以保障临时晃动运行，对于管门极电压被抬升的幅值逾越开关管的门槛电压即会组成短路。假如不将米勒电流飞腾或者泄放掉，