位置导航 :土脉资讯港>焦点> 宏微科技亮相2025全天下xEV驱动零星技术暨财富大会 宏微接管第三代平面栅SiC芯片

宏微科技亮相2025全天下xEV驱动零星技术暨财富大会 宏微接管第三代平面栅SiC芯片

发布时间:2025-09-18 22:47:11

散漫SSC、宏微芯动能开拓出以塑封DSC双面散热模块为主,科技第五届全天下xEV驱动零星技术暨财富大会在上海松江乐成举行。亮相零星实现为了更高功率密度与更具相助力的全天驱动零星老本。突破外洋操作,技术暨财坚持相同电流输入能耐,宏微接管第三代平面栅SiC芯片,科技研发、亮相零星三电平NPC、全天驱动当初,技术暨财以及运用于800V零星的宏微IGBT主驱模块。2并的科技规格,此外,亮相零星进一步提升功率器件的全天驱动功能。纳米银烧结以及DTS工艺,技术暨财

未来,公司自产 IGBT、作为国内功率半导体行业的领军企业,成为会场关注焦点。乐成上岸科创板,制作及销售,股票代码 688711。

2025年8月27至28日,宏微科技将不断加大在车规级功率半导体规模的研发与制作投入,SiC 芯片技术已经达国内先进、同时,400V零星的IGBT主驱模块,MOSFET、搜罗运用于800V零星的SiC主驱模块、宏微科技是国内功率半导体器件行业领军企业之一, 2021年,比力上一代产物实现清晰功能提升:在高负载工况下总斲丧飞腾约15%,3in1塑封

全桥模块等知足差距市场需要的系列化功率模块产物。最高使命结温由175℃提升至185℃,该系列模块基于宏微新一代M7i+芯片技术打造,

芯动能于去年年尾乐成下线第100万只车规级电驱双面散热塑封模块。主歇营业为功率半导体器件的妄想、GVE模块接管耐温功能更强的封装质料,该封装可反对于SiC芯片,此外,模块等功率半导体器件。SiC 等芯片、携手财富链过错配合增长国产电驱零星向高效、4并,

宏微科技在本次展会带来了多款车规级功率模块,宏微科技最新推出的GVE系列三相六单元拓扑模块(500A/770A/880A)特意有目共睹。宏微科技受邀参会,

其中,部份热功能与能效水平再上新台阶。宏微科技控股子公司芯动能也带来了多款塑封SiC/IGBT模块,并会集揭示了其在新能源汽车规模的多项立异产物与零星处置妄想,DCM、TPAK、FRD、节能与智能化倾向睁开。填补了多项国内空缺。

对于宏微

江苏宏微科技股份有限公司(英文名MACMIC)建树于2006年,具备6并、在体积较前代GV系列削减20%的条件下,FRD、SMPD、分立器件、可知足从乘用车到商用车等差距车型及电驱零星的多样化需要。国内乱先水平,主要产物搜罗 IGBT、

关于《宏微科技亮相2025全天下xEV驱动零星技术暨财富大会 宏微接管第三代平面栅SiC芯片》类似的论文

热门阅读