新洁能推出增强型N沟道MOSFET系列产物 具备较优的列产鲁棒性

运用新洁能特有的新洁T系沟槽型工艺平台，搭配优化后的出增大电流产物封装工艺， 导通电阻典型值低至0.75mR,强型不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。具备较优的列产鲁棒性，系列产物具备超高电流密度，新洁T系为市场提供经济高效的出增产物处置妄想。产物功能卓越，强型器件经由100% 雪崩测试，列产超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，新洁T系

产物优势

接管超高元胞密度、出增

强型

产物特色

强型

○ 高功电流密度

强型

○ 超低导通阻抗

强型

○ 高散热功能

强型

○ 高坚贞性

强型

新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。列产以NCE011N30GU为例，新洁T系小线宽妄想，出增